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TM4416KU8-12L

更新时间: 2024-11-20 21:06:59
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 270K
描述
16KX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 120ns, SMA30, 3.500 X 0.650 INCH, SIMM-30

TM4416KU8-12L 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SIMM
包装说明:3.500 X 0.650 INCH, SIMM-30针数:30
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:PAGE最长访问时间:120 ns
其他特性:RAS ONLY REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XSMA-N30内存密度:131072 bit
内存集成电路类型:DRAM MODULE内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:30字数:16384 words
字数代码:16000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:SIMM
封装等效代码:SIM30封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
刷新周期:256子类别:DRAMs
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:NMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:2.54 mm
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

TM4416KU8-12L 数据手册

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