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TM4256HE4-12L

更新时间： 2024-11-20 14:45:15

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
4页	82K
描述
512KX4 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 120ns, SMA22, 2.400 X 0.450 INCH, SIMM-22

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TM4256HE4-12L 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIMM
包装说明：	, SIP24,.2	针数：	22
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.82
访问模式：	PAGE	最长访问时间：	120 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	SEPARATE
JESD-30 代码：	R-XSMA-T22	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	DRAM MODULE	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	22	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装等效代码：	SIP24,.2
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	256
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.078 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	NMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

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