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TM4164FM9-20L

更新时间: 2024-11-20 21:11:43
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 688K
描述
DRAM Module, 64KX9, 200ns, NMOS, 3.500 X 0.600 INCH, SIMM-30

TM4164FM9-20L 技术参数

生命周期:Active包装说明:SIMM,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.59
访问模式:PAGE最长访问时间:200 ns
其他特性:RAS ONLY REFRESHJESD-30 代码:R-XSMA-N30
内存密度:589824 bit内存集成电路类型:DRAM MODULE
内存宽度:9功能数量:1
端口数量:1端子数量:30
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64KX9
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:SIMM
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:NMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

TM4164FM9-20L 数据手册

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