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TM4256FC1-15L

更新时间： 2024-11-20 15:54:39

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
5页	106K
描述
1MX1 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 150ns, SMA22, SIMM-22

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TM4256FC1-15L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SIMM	包装说明：	SIMM-22
针数：	22	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.21	Is Samacsys：	N
访问模式：	PAGE	最长访问时间：	150 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	SEPARATE
JESD-30 代码：	R-XSMA-T22	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	DRAM MODULE	内存宽度：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	22	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX1	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装等效代码：	SIP22,.2
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	256	子类别：	DRAMs
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	NMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TM4256FL8-12L	TI	获取价格	256KX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 120ns, SMA30, SIMM-30
TM4256FL8-20L	TI	获取价格	256KX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 200ns, SMA30, 3 X 0.650 INCH, SIMM-30
TM4256FU8-10L	TI	获取价格	MEMORY MODULE,DRAM,PAGE MODE,256KX8,MOS,SIM,30PIN,PLASTIC
TM4256FU8-12L	TI	获取价格	MEMORY MODULE,DRAM,PAGE MODE,256KX8,MOS,SIM,30PIN,PLASTIC
TM4256FU8-12L	ROCHESTER	获取价格	DRAM Module
TM4256FU8-15L	TI	获取价格	MEMORY MODULE,DRAM,PAGE MODE,256KX8,MOS,SIM,30PIN,PLASTIC
TM4256FU8-20L	ROCHESTER	获取价格	DRAM Module
TM4256GP9-10L	ROCHESTER	获取价格	DRAM Module
TM4256GP9-10L	TI	获取价格	MEMORY MODULE,DRAM,PAGE MODE,256KX(8+1),MOS,SIM,30PIN,PLASTIC
TM4256GP9-12	TI	获取价格	TM4256GP9-12