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TM4256GU8-15L

更新时间： 2024-11-20 14:45:15

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	540K
描述
256KX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 150ns, SMA30, SIMM-30

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TM4256GU8-15L 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIMM
包装说明：	SIMM-30	针数：	30
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.74
Is Samacsys：	N	访问模式：	PAGE
最长访问时间：	150 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XSMA-N30
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	DRAM MODULE
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	30
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	SIMM	封装等效代码：	SIM30
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	256	座面最大高度：	16.51 mm
子类别：	DRAMs	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	NMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TM4256GU8-20L	TI	获取价格	256KX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 200ns, SMA30, 3.500 X 0.650 INCH, SIMM-30
TM4256GV8-12L	TI	获取价格	256KX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 120ns, SMA30, 3.100 X 0.450 INCH, SIMM-30
TM4256GV8-20L	ROCHESTER	获取价格	DRAM Module, 256KX8, 200ns, NMOS, 3.100 X 0.450 INCH, SIMM-30
TM4256GV9-12	TI	获取价格	TM4256GV9-12
TM4256GV9-15	TI	获取价格	TM4256GV9-15
TM4256GV9-15L	ROCHESTER	获取价格	DRAM Module, 256KX9, 150ns, NMOS, 3.100 X 0.450 INCH, SIMM-30
TM4256GV9-20L	ROCHESTER	获取价格	DRAM Module, 256KX9, 200ns, NMOS, 3.100 X 0.450 INCH, SIMM-30
TM4256HE4-10L	ROCHESTER	获取价格	DRAM Module
TM4256HE4-12L	TI	获取价格	512KX4 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 120ns, SMA22, 2.400 X 0.450 INCH, SIMM-22
TM4256HE4-12L	ROCHESTER	获取价格	DRAM Module, 512KX4, 120ns, NMOS, 2.400 X 0.450 INCH, SIMM-22