生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.68 | 最长访问时间: | 120 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PSMA-N30 |
内存密度: | 2097152 bit | 内存集成电路类型: | PAGE MODE DRAM |
内存宽度: | 8 | 端子数量: | 30 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 256KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SIMM |
封装等效代码: | SIM30 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 256 |
座面最大高度: | 16.51 mm | 子类别: | DRAMs |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | MOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | SINGLE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TM4256FU8-15L | TI |
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MEMORY MODULE,DRAM,PAGE MODE,256KX8,MOS,SIM,30PIN,PLASTIC | |
TM4256FU8-20L | ROCHESTER |
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DRAM Module | |
TM4256GP9-10L | ROCHESTER |
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DRAM Module | |
TM4256GP9-10L | TI |
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MEMORY MODULE,DRAM,PAGE MODE,256KX(8+1),MOS,SIM,30PIN,PLASTIC | |
TM4256GP9-12 | TI |
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TM4256GP9-12 | |
TM4256GP9-20 | TI |
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TM4256GP9-20 | |
TM4256GU8-10L | TI |
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256KX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 100ns, SMA30, SIMM-30 | |
TM4256GU8-12L | TI |
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256KX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 120ns, SMA30, SIMM-30 | |
TM4256GU8-15L | TI |
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256KX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 150ns, SMA30, SIMM-30 | |
TM4256GU8-20L | TI |
获取价格 |
256KX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 200ns, SMA30, 3.500 X 0.650 INCH, SIMM-30 |