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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SIMM, SIM30 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 150 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PSMA-N30 | 内存密度： | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型： | PAGE MODE DRAM | 内存宽度： | 8 |
| 端子数量： | 30 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SIMM | 封装等效代码： | SIM30 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 256 | 座面最大高度： | 16.51 mm |
| 子类别： | DRAMs | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | MOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | SINGLE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TM4256FU8-20L | ROCHESTER |
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DRAM Module |
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| TM4256GP9-10L | ROCHESTER |
获取价格 |
DRAM Module |
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| TM4256GP9-10L | TI |
获取价格 |
MEMORY MODULE,DRAM,PAGE MODE,256KX(8+1),MOS,SIM,30PIN,PLASTIC |
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| TM4256GP9-12 | TI |
获取价格 |
TM4256GP9-12 |
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| TM4256GP9-20 | TI |
获取价格 |
TM4256GP9-20 |
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| TM4256GU8-10L | TI |
获取价格 |
256KX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 100ns, SMA30, SIMM-30 |
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| TM4256GU8-12L | TI |
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256KX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 120ns, SMA30, SIMM-30 |
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| TM4256GU8-15L | TI |
获取价格 |
256KX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 150ns, SMA30, SIMM-30 |
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| TM4256GU8-20L | TI |
获取价格 |
256KX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 200ns, SMA30, 3.500 X 0.650 INCH, SIMM-30 |
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| TM4256GV8-12L | TI |
获取价格 |
256KX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 120ns, SMA30, 3.100 X 0.450 INCH, SIMM-30 |
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