Datasheet > TM4256EC4-12L

TM4256EC4-12L

更新时间： 2024-11-20 20:59:15

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
5页	116K
描述
256KX4 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 120ns, SMA22, SIMM-22

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TM4256EC4-12L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SIMM	包装说明：	, SIP22,.2
针数：	22	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.81	访问模式：	PAGE
最长访问时间：	120 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	SEPARATE	JESD-30 代码：	R-XSMA-T22
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	DRAM MODULE
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	22
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装等效代码：	SIP22,.2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	256	子类别：	DRAMs
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	NMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TM4256EL9-10L	ROCHESTER	获取价格	DRAM Module, 256KX9, 100ns, NMOS, SIMM-30
TM4256EL9-15L	TI	获取价格	256KX9 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 150ns, SMA30, SIMM-30
TM4256EQ5-20L	TI	获取价格	256KX5 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 200ns, SMA24, 2.700 X 0.450 INCH, SIMM-24
TM4256EU9-15L	TI	获取价格	MEMORY MODULE,DRAM,PAGE MODE,256KX(8+1),MOS,SIM,30PIN,PLASTIC
TM4256FC1-12L	TI	获取价格	1MX1 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 120ns, SMA22, SIMM-22
TM4256FC1-15L	TI	获取价格	1MX1 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 150ns, SMA22, SIMM-22
TM4256FL8-12L	TI	获取价格	256KX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 120ns, SMA30, SIMM-30
TM4256FL8-20L	TI	获取价格	256KX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 200ns, SMA30, 3 X 0.650 INCH, SIMM-30
TM4256FU8-10L	TI	获取价格	MEMORY MODULE,DRAM,PAGE MODE,256KX8,MOS,SIM,30PIN,PLASTIC
TM4256FU8-12L	TI	获取价格	MEMORY MODULE,DRAM,PAGE MODE,256KX8,MOS,SIM,30PIN,PLASTIC