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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SIMM |
| 包装说明： | SIMM, SIM30 | 针数： | 30 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.75 |
| 访问模式： | PAGE | 最长访问时间： | 200 ns |
| 其他特性： | RAS ONLY REFRESH | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XSMA-N30 | 内存密度： | 589824 bit |
| 内存集成电路类型： | DRAM MODULE | 内存宽度： | 9 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 30 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 64KX9 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | SIMM |
| 封装等效代码： | SIM30 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 256 | 子类别： | DRAMs |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | NMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | SINGLE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TM4172 | SPECTRUM |
获取价格 |
RF AMPLIFIER |
|
| TM4179 | SPECTRUM |
获取价格 |
RF AMPLIFIER |
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| TM4256EC4-12L | TI |
获取价格 |
256KX4 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 120ns, SMA22, SIMM-22 |
|
| TM4256EL9-10L | ROCHESTER |
获取价格 |
DRAM Module, 256KX9, 100ns, NMOS, SIMM-30 |
|
| TM4256EL9-15L | TI |
获取价格 |
256KX9 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 150ns, SMA30, SIMM-30 |
|
| TM4256EQ5-20L | TI |
获取价格 |
256KX5 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 200ns, SMA24, 2.700 X 0.450 INCH, SIMM-24 |
|
| TM4256EU9-15L | TI |
获取价格 |
MEMORY MODULE,DRAM,PAGE MODE,256KX(8+1),MOS,SIM,30PIN,PLASTIC |
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| TM4256FC1-12L | TI |
获取价格 |
1MX1 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 120ns, SMA22, SIMM-22 |
|
| TM4256FC1-15L | TI |
获取价格 |
1MX1 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 150ns, SMA22, SIMM-22 |
|
| TM4256FL8-12L | TI |
获取价格 |
256KX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 120ns, SMA30, SIMM-30 |
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