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Datasheet > 存储 > DRAM> TM124FBK32S-80
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TM124FBK32S-80

更新时间： 2024-09-15 22:42:07
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 存储内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
11页 161K
描述
DYNAMIC RAM MODULES

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TM124FBK32S-80 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SIMM
包装说明：SIMM-72针数：72
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.84
Is Samacsys：N访问模式：FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：80 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-XSMA-N72
内存密度：33554432 bit内存集成电路类型：EDO DRAM MODULE
内存宽度：32功能数量：1
端口数量：1端子数量：72
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：1MX32
输出特性：3-STATE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：SIMM封装等效代码：SSIM72
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：5 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：1024座面最大高度：25.4 mm
自我刷新：NO最大待机电流：0.008 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.64 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：MOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：NO LEAD端子节距：1.27 mm
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

TM124FBK32S-80 数据手册

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TM124FBK32, TM124FBK32S 1048576 BY 32-BIT  
TM248GBK32, TM248GBK32S 2097152 BY 32-BIT  
DYNAMIC RAM MODULES  
SMMS664A – DECEMBER 1995 – REVISED JUNE 1996  
Organization  
Presence Detect  
TM124FBK32 . . . 1 048 576 × 32  
TM248GBK32 . . . 2 097 152 × 32  
Performance Ranges:  
ACCESS ACCESS ACCESS EDO  
Single 5-V Power Supply  
TIME  
TIME  
TIME CYCLE  
72-pin Single In-Line Memory Module  
(SIMM) for Use With Sockets  
t
t
t
t
HPC  
RAC  
AA  
CAC  
(MIN) (MIN)  
(MAX)  
60 ns  
70 ns  
80 ns  
60 ns  
70 ns  
80 ns  
(MAX)  
30 ns  
35 ns  
40 ns  
30 ns  
35 ns  
40 ns  
’124FBK32-60  
’124FBK32-70  
’124FBK32-80  
’248GBK32-60  
’248GBK32-70  
’248GBK32-80  
15 ns  
18 ns  
20 ns  
15 ns  
18 ns  
20 ns  
25 ns  
30 ns  
35 ns  
25 ns  
30 ns  
35 ns  
TM124FBK32 Utilizes Eight 4M-Bit Dynamic  
RAMs (DRAMs) in Plastic Small-Outline  
J-Lead (SOJ) Packages  
TM248GBK32 Utilizes Sixteen 4M-Bit  
DRAMs in Plastic SOJ Packages  
Long Refresh Period  
16 ms (1024 Cycles)  
Low Power Dissipation  
All Inputs, Outputs, Clocks Fully TTL  
Compatible  
Operating Free-Air Temperature  
Range . . . 0°C to 70°C  
†
3-State Output  
Gold-Tabbed Versions Available:  
– TM124FBK32  
– TM248GBK32  
Common CAS Control for Eight Common  
Data-In and Data-Out Lines, In Four Blocks  
Tin-Lead- (Solder-) Tabbed Versions  
Available:  
– TM124FBK32S  
Extended Data-Out (EDO) Operation With  
CAS-Before-RAS (CBR), RAS-Only, and  
Hidden Refresh  
– TM248GBK32S  
JEDEC First Generation 72-Pin SIMM  
Pinout  
description  
TM124FBK32  
The TM124FBK32 is a 4M-byte DRAM organized as four times 1 048 576 × 8 in a 72-pin leadless SIMM. The  
SIMM is composed of eight TMS44409, 1 048 576 × 4-bit DRAMs, each in a 20/26-lead plastic SOJ package,  
mounted on a substrate together with decoupling capacitors. Each TMS44409 is described in the TMS44409  
data sheet. The TM124FBK32 is available in the single-sided BK leadless module for use with sockets.  
TM248GBK32  
The TM248GBK32 is a 8M-byte DRAM organized as four times 2 097 152 × 8 in a 72-pin leadless SIMM. The  
SIMM is composed of sixteen TMS44409, 1 048 576 × 4-bit DRAMs, each in a 20/26-lead plastic SOJ package,  
mounted on a substrate together with decoupling capacitors. Each TMS44409 is described in the TMS44409  
data sheet. The TM248GBK32 is available in the double-sided BK leadless module for use with sockets.  
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
†
Part numbers in this data sheet are for the gold-tabbed version; the information applies to both gold-tabbed and solder-tabbed versions.  
Copyright 1996, Texas Instruments Incorporated  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments  
standard warranty. Production processing does not necessarily include  
testing of all parameters.  
1
POST OFFICE BOX 1443 • HOUSTON, TEXAS 77251–1443  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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