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TM124GU8A-80

更新时间： 2024-11-06 15:54:39
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 86K
描述
1MX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 80ns, SMA30, SIMM-30

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TM124GU8A-80 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SIMM
包装说明：SIMM, SIM30针数：30
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.84
访问模式：PAGE最长访问时间：80 ns
其他特性：CAS BEFORE RAS REFRESHI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-XSMA-N30内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：DRAM MODULE内存宽度：8
功能数量：1端口数量：1
端子数量：30字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：1MX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：SIMM
封装等效代码：SIM30封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源：5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：1024
座面最大高度：16.51 mm最大待机电流：0.002 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：NO LEAD端子节距：2.54 mm
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

TM124GU8A-80 数据手册

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TM124GU8A  
1 048 576-WORD BY 8-BIT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY MODULE  
SMMS181A–JANUARY 1991–REVISED JANUARY 1993  
• Organization . . . 1 048 576 × 8  
• Single 5-V Power Supply (±10% Tolerance)  
SINGLE IN-LINE  
MODULE  
(TOP VIEW)  
• 30-Pin Single In-Line Memory Module  
(SIMM)  
• TM124GU8A Utilizes Two 4-Megabit  
Dynamic RAMs in Plastic Small-Outline  
J-Lead Packages (SOJs)  
V
CC  
1
CAS  
DQ1  
A0  
2
3
4
5
6
7
8
9
• Long Refresh Period  
A1  
. . . 16 ms (1024 Cycles)  
DQ2  
A2  
• All Inputs, Outputs, Clocks Fully TTL  
Compatible  
A3  
V
SS  
• 3-State Outputs  
DQ3 10  
A4 11  
• Performance Ranges:  
A5 12  
ACCESS  
TIME  
ACCESS  
TIME  
READ  
OR  
DQ4 13  
A6 14  
(t  
RAC  
)
(t  
AA  
)
WRITE  
CYCLE  
(MIN)  
A7 15  
DQ5 16  
A8 17  
A9 18  
NC 19  
DQ6 20  
(MAX)  
60 ns  
70 ns  
80 ns  
(MAX)  
30 ns  
35 ns  
40 ns  
TM124GU8A-60  
TM124GU8A-70  
TM124GU8A-80  
110 ns  
130 ns  
150 ns  
W
21  
22  
V
SS  
DQ7 23  
NC 24  
DQ8 25  
NC 26  
RAS 27  
NC 28  
• Low Power Dissipation  
• Operating Free-Air Temperature Range  
0°C to 70°C  
description  
NC 29  
V
CC  
30  
The TM124GU8A is a dynamic random-access  
memory module organized as 1 048 576 × 8 in a  
30-pin leadless single in-line memory module  
(SIMM).  
PIN NOMENCLATURE  
The TM124GU8A is composed of two TMS44400,  
1 048 576 × 4 bit dynamic RAMs in 20/26-lead  
plastic small-outline J-lead packages (SOJs).  
A0–A9  
CAS  
Address Inputs  
Column-Address Strobe  
DQ1–DQ8  
NC  
Data In/Data Out  
No Internal Connect  
Row-Address Strobe  
5-V Supply  
The TM124GU8A is mounted on a substrate with  
decoupling capacitors. The onboard capacitors  
eliminate the need for bypassing on the  
motherboard and offer superior performance over  
equivalent leaded capacitors due to reduced lead  
inductance. With the elimination of bypass  
capacitors on the motherboard, reduced PC  
board size, and fewer plated through-holes, a cost  
savings can be realized.  
RAS  
V
CC  
V
SS  
Ground  
The TM124GU8A features RAS access times of 60 ns, 70 ns, and 80 ns. All inputs and outputs, including clocks,  
are compatible with Series 74 TTL. All address lines and data in are latched on-chip to simplify system design.  
Data out is unlatched to allow greater system flexibility.  
The TM124GU8A is characterized for operation from 0°C to 70°C.  
Copyright 1993, Texas Instruments Incorporated  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments  
standard warranty. Production processing does not necessarily include  
testing of all parameters.  
1
POST OFFICE BOX 1443 • HOUSTON, TEXAS 77001  
1234567...9

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