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TIP147

更新时间： 2024-02-21 12:23:11

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	77K
描述
Silicon PNP Darlington Power Transistors

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TIP147 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-3PN
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	7.16
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	500	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TIP147 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Darlington Power Transistors

TIP145/146/147

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·DARLINGTON

·High DC current gain

·Complement to type TIP140/141/142

APPLICATIONS

·Designed for general–purpose amplifier and

low frequency switching applications.

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Tc=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-60

UNIT

TIP145

TIP146

TIP147

TIP145

TIP146

TIP147

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

-80

-100

-60

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

-80

-100

-5

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current-DC

Collector current-peak

Base current-DC

Open collector

-10

-15

-0.5

125

P_C

T_j

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

150

T_stg

-65~150

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

1.0

UNIT

℃/W

R_{th j-c}

R_{th j-A}

Thermal resistance junction to case

Thermal resistance case to ambient

35.7

12 3 4

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