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TIP147T

更新时间： 2024-01-22 22:25:10

品牌	Logo	应用领域
CDIL		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	239K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), PNP

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TIP147T 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.43
最大集电极电流 (IC)：	10 A	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	500	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	80 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

TIP147T 数据手册

Continental Device India Limited

An ISO/TS16949 and ISO 9001 Certified Company

SILICON PLANAR POWER DARLINGTON TRANSISTORS

TIP142T NPN

TIP147T PNP

TO-220

Plastic Package

For use in Power Linear and Switching Applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

DESCRIPTION

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

VALUE

100

5.0

UNIT

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

I_CM

Collector Peak Current (Repetitive)

Base Current

I_B

P_tot

0.5

Power Dissipation @ Tc=25ºC

T_j,T_stg

Operating & Storage Junction

- 65 to +150

1.0

ºC

Temperature Range

THERMAL RESISTANCE

Junction to Case

R_{th (j-c)}

ºC/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25ºC Unless Otherwise Specified)

DESCRIPTION

SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITION

MIN

TYP MAX

UNIT

V_CB=100V, I_E=O

V_CE=50V, I_B=0

V_EB=5V, I_C=0

Collector Cut off Current

Emitter Cut off Current

1.0

2.0

I_CEO

I_EBO

V_CEO

I_C=30mA, I_B=0

I_C=5A, I_B=10mA

I_C=10A, I_B=40mA

I_C=10A, V_CE=4V

I_C=5A, V_CE=4V

I_C=10A, V_CE=4V

Collector Emitter (sus) voltage

Collector Emitter Saturation Voltage

100

V_CE(sat)

2.0

3.0

V_{BE(on) *}

Base Emitter on Voltage

DC Current Gain

h_FE

1000

500

SWITCHING TIME

Turn on time

t_on

t_off

0.9

4.0

µs

Ic=10A, I_B1=I_B2= - 40mA,

R_L=3Ω

Turn off time

*Pulsed : Pulse duration =200µs, Duty Cycle=1.5%

Continental Device India Limited

Data Sheet

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