TIP147TU_NL

更新时间： 2024-11-02 13:14:39

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管达林顿晶体管
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TIP147TU_NL 数据手册

October 2009

TIP145 / TIP146 / TIP147

PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor

Features

• Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors

• High DC Current Gain : h_FE= 1000 @ V_CE= -4V, I_C= -5A (Min.)

• Industrial Use

• Complement to TIP140/141/142

Equivalent Circuit

TO-3P

1.Base 2.Collector 3.Emitter

R1 ≅ 8kΩ

R2 ≅ 0.12kΩ

Absolute Maximum Ratings* T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_CBO

Collector-Base Voltage : TIP145

- 60

- 80

- 100

: TIP146

: TIP147

Collector-Emitter Voltage : TIP145

- 60

- 80

- 100

V_CEO

: TIP146

: TIP147

V_EBO

I_C

I_CP

I_B

Emitter-Base Voltage

Collector Current (DC)

Collector Current (Pulse)

Base Current (DC)

- 5

- 10

- 15

- 0.5

125

150

P_C

Collector Dissipation (T_C=25°C)

Junction Temperature

Storage Temperature

°C

T_J

T_STG

- 65 to +150

* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

TIP145 / TIP146 / TIP147 Rev. B1

www.fairchildsemi.com

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