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TIP147TU

更新时间: 2024-11-02 12:48:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率双极晶体管达林顿晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 175K
描述
PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor

TIP147TU 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:TO-3PN
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:7.16
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):10 A
集电极-发射极最大电压:100 V配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):500JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):125 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

TIP147TU 数据手册

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October 2009  
TIP145 / TIP146 / TIP147  
PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor  
Features  
• Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors  
• High DC Current Gain : hFE = 1000 @ VCE = -4V, IC = -5A (Min.)  
• Industrial Use  
• Complement to TIP140/141/142  
Equivalent Circuit  
C
B
TO-3P  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
R1  
R2  
E
R1 8kΩ  
R2 0.12kΩ  
Absolute Maximum Ratings* TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCBO  
Collector-Base Voltage : TIP145  
- 60  
- 80  
- 100  
V
V
V
: TIP146  
: TIP147  
Collector-Emitter Voltage : TIP145  
- 60  
- 80  
- 100  
V
V
V
VCEO  
: TIP146  
: TIP147  
VEBO  
IC  
ICP  
IB  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current (DC)  
- 5  
- 10  
- 15  
- 0.5  
125  
150  
V
A
A
A
PC  
Collector Dissipation (TC=25°C)  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
W
°C  
°C  
TJ  
TSTG  
- 65 to +150  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
© 2009 Fairchild Semiconductor Corporation  
TIP145 / TIP146 / TIP147 Rev. B1  
www.fairchildsemi.com  
1

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