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TIP121

更新时间： 2024-01-26 04:28:43

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德欧泰克 - DIOTEC		/
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Si-Epitaxial PlanarTransistors

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TIP121 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, CASE 221A-09, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	0.72
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	65 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TIP121 数据手册

TIP120, TIP121, TIP122

NPN

Darlington Transistors

NPN

Si-Epitaxial PlanarTransistors

Si-Epitaxial PlanarTransistoren

Version 2004-06-21

Collector current – Kollektorstrom

5 A

Plastic case

TO-220AB

Kunststoffgehäuse

Weight approx. – Gewicht ca.

2.2 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

1 = B1 2 = C2 3 = E2

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

TIP120

60 V

TIP121

80 V

TIP122

100 V

Collector-Emitter-voltage

Collector-Base-voltage

Emitter-Base-voltage

B open

E open

C open

V_CE0

V_CB0

V_EB0

60 V

80 V

50 V

Power dissipation – Verlustleistung

without cooling – ohne Kühlung

with cooling – mit Kühlung

P_tot

2 W ¹)

65 W

T_C= 25°C P_tot

I_C

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom I_CM

Collector current – Kollektorstrom (dc)

5 A

8 A

Base current – Basisstrom (dc)

I_B

T_j

T_S

120 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

- 65…+ 150°C

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Min.

Typ.

Max.

Collector-Emitter cutoff current – Kollektorreststrom

I_B= 0, V_CE= 30 V

I_B= 0, V_CE= 40 V

I_B= 0, V_CE= 50 V

TIP120

TIP121

TIP123

I_CE0

–

500 nA

Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom

I_E= 0, V_CB= 60 V

I_E= 0, V_CB= 80 V

I_E= 0, V_CB= 100 V

TIP120

TIP121

TIP122

I_CB0

–

200 nA

)

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case

Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 5 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TIP121(TO-220)	CJ	获取价格	Transistor
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TIP12116A	MOTOROLA	获取价格	5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP121-6200	RENESAS	获取价格	8A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP121-6203	RENESAS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
TIP121-6226	RENESAS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
TIP121-6255	RENESAS	获取价格	8A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP121-6263	RENESAS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
TIP121-6264	RENESAS	获取价格	8A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

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