TIP121G

更新时间： 2024-01-21 12:12:49

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
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7页	91K
描述
Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors

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TIP121G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, CASE 221A-09, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	0.72
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	65 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TIP121G 数据手册

TIP120, TIP121, TIP122

(NPN); TIP125, TIP126,

TIP127 (PNP)

Preferred Devices

Plastic Medium−Power

Complementary Silicon

Transistors

http://onsemi.com

Designed for general−purpose amplifier and low−speed switching

applications.

DARLINGTON

5 AMPERE

Features

COMPLEMENTARY SILICON

POWER TRANSISTORS

60−80−100 VOLTS, 65 WATTS

• High DC Current Gain −

= 2500 (Typ) @ I

= 4.0 Adc

• Collector−Emitter Sustaining Voltage − @ 100 mAdc

= 60 Vdc (Min) − TIP120, TIP125

= 80 Vdc (Min) − TIP121, TIP126

= 100 Vdc (Min) − TIP122, TIP127

MARKING

DIAGRAM

CEO(sus)

• Low Collector−Emitter Saturation Voltage −

CE(sat)

= 2.0 Vdc (Max) @ I = 3.0 Adc

= 4.0 Vdc (Max) @ I = 5.0 Adc

TO−220AB

TIP12xG

AYWW

• Monolithic Construction with Built−In Base−Emitter Shunt Resistors

• Pb−Free Packages are Available*

CASE 221A

STYLE 1

TIP12x = Device Code

= 0, 1, 2, 5, 6, or 7

= Assembly Location

= Year

= Work Week

= Pb−Free Package

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information in the package

dimensions section on page 2 of this data sheet.

Preferred devices are recommended choices for future use

and best overall value.

*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please

download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques

Reference Manual, SOLDERRM/D.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2005

Publication Order Number:

September, 2005 − Rev. 6

TIP120/D

12 3 4 5 6 7

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TIP121G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
TIP121TU	ONSEMI	类似代替	Medium Power NPN Darlington Bipolar Power Transistor
TIP121	ONSEMI	类似代替	Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
TIP121	STMICROELECTRONICS	功能相似	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

与TIP121G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TIP121L	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
TIP121NPN	CDIL	获取价格	PLASTIC POWER TRANSISTORS
TIP121S	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
TIP121-S	BOURNS	获取价格	NPN SILICON POWER DARLINGTONS
TIP121SEL01	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
TIP121T	MOTOROLA	获取价格	5A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP121TU	FAIRCHILD	获取价格	NPN Epitaxial Darlington Transistor
TIP121TU	ONSEMI	获取价格	Medium Power NPN Darlington Bipolar Power Transistor
TIP121U	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
TIP121U2	MOTOROLA	获取价格	5A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

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