TIP122

更新时间： 2024-02-12 23:32:58

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描述
NPN Silicon Transistors

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TIP122 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.62	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	75 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4 MHz	Base Number Matches：	1

TIP122 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

TIP122

Micro Commercial Components

Features

•

Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates

NPN Silicon

Transistors

RoHS Compliant. See ordering information)

Darlington configuration in Jedec TO-220 package

The complementary PNP types are the TIP127 respectively.

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

TO-220

Maximum Ratings

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_CP

Rating

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Collector Current

Collector Current

Rating

100

5.0

8.0

Unit

I_C

5.0

P_C

T_J

T_STG

Collector power dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

^OC

-55 to +150

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100

---

0.2

2.0

0.5

Vdc

mAdc

(I_C=30mAdc, I =0)

I_CBO

Collector-Base Cutoff Current

(V_CB=100Vdc,I_E=0)

Emitter-Base Cutoff Current

I_EBO

---

(V_EB=5.0Vdc, I =0)

DIMENSIONS

MIN

MAX

.625

.420

.190

I_CEO

Collector-Emitter Cutoff Current

(V_CE=50Vdc, I_B=0)

---

INCHES

MIN

MAX

15.88

NOTE

DIM

.560

.380

.140

14.22

9.65

3.56

ON CHARACTERISTICS

h_FE-1

10.67

4.82

Forward Current Transfer Ratio

(I_C=0.5Adc, V_CE=3.0Vdc)

Forward Current Transfer Ratio

(I_C=3.0Adc, V_CE=3.0Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

1000

---

.020

.139

.190

---

.045

.161

.110

.250

.025

0.51

3.53

2.29

---

1.14

4.09

2.79

6.35

0.64

h_FE-2

.012

0.30

V_CE(sat)-1

V_CE(sat)-2

V_BE(sat)

2.0

4.0

2.5

Vdc

.500

.045

.580

.060

12.70

1.14

14.73

1.52

(I_C=3.0Adc, I =12mAdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

---

.190

.210

4.83

5.33

(I_C=5.0Adc, I =20mAdc)

.100

.080

.045

.230

-----

.135

.115

.055

.270

.050

-----

2.54

2.04

1.14

5.84

-----

3.43

2.92

1.39

6.86

1.27

-----

Base-Emitter Saturation Voltage

(I_C=3.0Adc, V_CE=3.0Adc)

---

Notes:1.High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.

.045

1.15

www.mccsemi.com

Revision: A

2011/01/01

1 of 2

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