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TIP122(TO-126)

更新时间： 2024-11-04 14:45:11

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描述
Transistor

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TIP122(TO-126) 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	5 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	40 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

TIP122(TO-126) 数据手册

UTCTIP122

NPNEPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

NPN EPITAXIAL TRANSISTOR

DESCRIPTION

The UTC TIP122 is a NPN epitaxial transistor, designed

for use in general purpose amplifier low-speed switching

applications.

TO-126

1:EMITTER 2:COLLECTOR 3:BASE

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C)

PARAMETER

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

RATINGS

UNIT

°C

100

Collector Dissipation (Tc=25℃)

Storage Temperature

P_C

Tstg

-55 ~ +150

150

Junction Temperature

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25°C, unless otherwise specified )

PARAMETER

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Collector Cut-Off Current

Collector-Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

DC Current Gain

SYMBOL

BV_CEO

I_CBO

I_CEO

I_EBO

V_CE(SAT)1

V_CE(SAT)2

V_BE(ON)

TEST CONDITIONS

I_C=100mA

V_CB=100V

V_CE=50V

V_EB=5V

I_C=3A, I_B=12mA

I_C=5A, I_B=20mA

V_CE=3V, I_C=3A

I_C=500mA, V_CE=3V

I_C=3A, V_CE=3V

MIN. TYP. MAX. UNIT

100

200

500

2.5

1000

h_FE

UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.

QW-R204-016,A

12 3

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