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TIP122F

更新时间： 2024-01-26 22:18:49
品牌 Logo 应用领域
CDIL 晶体晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 214K
描述
NPN/PNP SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

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TIP122F 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.62Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：5 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：1000JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：75 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：4 MHzBase Number Matches：1

TIP122F 数据手册

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Continental Device India Limited  
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company  
NPN/PNP SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS  
TIP122F NPN  
TIP127F PNP  
TO-220FP  
B
C
E
Designed for General-Purpose Amplifier and Low-Speed Switching Applications.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C)  
DESCRIPTION  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
VALUE  
100  
100  
5.0  
5.0  
UNIT  
V
V
V
A
Collector -Base Voltage  
Collector -Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
Collector Current -Continuous  
Collector Current (Peak)  
Base Current  
ICM  
IB  
8.0  
120  
A
mA  
Total Power Dissipation @ Tc=25 deg C  
Derate Above 25 deg C  
Total Power Dissipation @ Ta=25 deg C  
Derate Above 25 deg C  
Unclamped Inductive Load Energy (1)  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
THERMAL RESISTANCE  
From Junction to Ambient  
From Junction to Case  
PD  
65  
0.52  
2.0  
0.016  
50  
150  
W
W/deg C  
W
W/deg C  
mj  
deg C  
deg C  
PD  
E
Tj  
Tstg  
-65 to +150  
Rth(j-a)  
Rth(j-c)  
62.5  
1.92  
deg C/W  
deg C/W  
(1) IC=1A, L=100mH,P.R.F.=10Hz, VCC=20V, RBE=100 ohms  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 deg C Unless Specified)  
DESCRIPTION  
Collector Emitter (sus) Voltage  
Collector Cut off Current  
SYMBOL  
VCEO (sus) * IC=100mA, IB=0  
ICBO  
ICEO  
IEBO  
VCE(Sat)*  
TEST CONDITION  
MIN  
100  
-
-
-
-
-
MAX  
-
UNIT  
V
mA  
mA  
mA  
V
V
V
K
K
VCB=100V, IE=0  
IB=O, VCE=50V  
VEB=5V,IC=0  
IC=3A, IB=12mA  
IC=5A, IB=20mA  
IC=3A, VCE=3V  
IC=0.5A, VCE=3V  
IC=3A, VCE=3V  
0.2  
0.5  
2.0  
2.0  
4.0  
2.5  
-
Emitter Cut off Current  
Collector Emitter Saturation Voltage  
Base Emitter on Voltage  
DC Current Gain  
VBE(on) *  
hFE*  
-
1.0  
1.0  
-
Continental Device India Limited  
Page 1 of 3  
Data Sheet  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIP122FI NJSEMI

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 		Trans Darlington NPN 100V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
TIP122FP STMICROELECTRONICS

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