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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | TO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 0.79 | 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 65 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 65 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 4 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| TIP122 | FAIRCHILD |
完全替代  |
Medium Power Linear Switching Applications |
|
| BDX53C | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TIP122(TO-126) | UTC |
获取价格 |
Transistor |
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| TIP122(TO-220) | CJ |
获取价格 |
Transistor |
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| TIP122_08 | UTC |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL TRANSISTOR |
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| TIP122_08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Epitaxial Darlington Transistor |
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| TIP122_11 | MCC |
获取价格 |
NPN Silicon Transistors |
|
| TIP122_15 | UTC |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL TRANSISTOR |
|
| TIP12216 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| TIP122-6203 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| TIP122-6226 | RENESAS |
获取价格 |
8A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| TIP122-6255 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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一文了解TIP122的原理、参数以及替换
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