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TIP122

更新时间： 2024-02-10 18:12:06

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
4页	173K
描述
Silicon NPN Darlington Power Transistors

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TIP122 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.62	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	75 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4 MHz	Base Number Matches：	1

TIP122 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Darlington Power Transistors

TIP120/121/122

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·DARLINGTON

·High DC current gain

·Low collector saturation voltage

·Complement to type TIP125/126/127

APPLICATIONS

·Designed for general–purpose amplifier

and low–speed switching applications.

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Tc=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

TIP120

TIP121

TIP122

TIP120

TIP121

TIP122

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

100

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

100

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current-DC

Collector current-Pulse

Base current-DC

Open collector

120

T_C=25℃

T_a=25℃

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-65~150

℃

T_stg

12 3 4

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