5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.72 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 65 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TIP12116A | MOTOROLA |
获取价格 |
5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| TIP121-6200 | RENESAS |
获取价格 |
8A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| TIP121-6203 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| TIP121-6226 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| TIP121-6255 | RENESAS |
获取价格 |
8A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| TIP121-6263 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| TIP121-6264 | RENESAS |
获取价格 |
8A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| TIP121-6265 | RENESAS |
获取价格 |
8A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| TIP121A | MOTOROLA |
获取价格 |
5A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| TIP121AF | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
