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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> TIP121AJ
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TIP121AJ

更新时间： 2024-11-04 13:14:39
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 254K
描述
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin

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TIP121AJ 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.72外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：5 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：1000
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：65 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：4 MHz
Base Number Matches：1

TIP121AJ 数据手册

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by TIP120/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications.  
•
High DC Current Gain —  
= 2500 (Typ) @ I = 4.0 Adc  
Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 100 mAdc  
h
FE  
C
•
V
V
V
= 60 Vdc (Min) — TIP120, TIP125  
= 80 Vdc (Min) — TIP121, TIP126  
= 100 Vdc (Min) — TIP122, TIP127  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
•
Low Collector–Emitter Saturation Voltage —  
V
V
= 2.0 Vdc (Max) @ I = 3.0 Adc  
CE(sat)  
CE(sat)  
C
= 4.0 Vdc (Max) @ I = 5.0 Adc  
C
•
•
Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistors  
TO–220AB Compact Package  
*Motorola Preferred Device  
*MAXIMUM RATINGS  
TIP120,  
TIP125  
TIP121,  
TIP126  
TIP122,  
TIP127  
DARLINGTON  
5 AMPERE  
COMPLEMENTARY SILICON  
POWER TRANSISTORS  
60–80–100 VOLTS  
65 WATTS  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
CEO  
60  
60  
80  
80  
100  
100  
V
CB  
EB  
V
5.0  
Collector Current — Continuous  
Peak  
I
C
5.0  
8.0  
Base Current  
I
B
120  
mAdc  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
C
Derate above 25 C  
P
D
65  
0.52  
Watts  
W/ C  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
A
Derate above 25 C  
P
D
2.0  
0.016  
Watts  
W/ C  
Unclamped Inductive Load Energy (1)  
E
50  
mJ  
C
Operating and Storage Junction,  
Temperature Range  
T , T  
–65 to +150  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
C/W  
C/W  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
R
1.92  
62.5  
CASE 221A–06  
TO–220AB  
θJC  
R
θJA  
= 100 Ω.  
(1) I = 1 A, L = 100 mH, P.R.F. = 10 Hz, V  
= 20 V, R  
BE  
C
CC  
T
T
C
A
4.0 80  
3.0 60  
2.0 40  
T
C
T
A
1.0 20  
0
0
0
20  
40  
60  
80  
100  
C)  
120  
140  
160  
T, TEMPERATURE (  
°
Figure 1. Power Derating  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 2  
Motorola, Inc. 1995
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIP121AK ONSEMI

获取价格

 		5A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
TIP121AS ONSEMI

获取价格

 		TRANSISTOR 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Pur
TIP121AU ONSEMI

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 		5A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
TIP121BD ONSEMI

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 		5A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
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 		TRANSISTOR 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Pur
TIP121BV ONSEMI

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 		TRANSISTOR 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Pur
TIP121C MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
TIP121D1 MOTOROLA

获取价格

 		5A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP121-DR6259 RENESAS

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 		8A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP121-DR6269 RENESAS

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti

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