TIM6472-4UL

更新时间： 2024-01-15 05:36:49

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东芝 - TOSHIBA		晶体射频场效应晶体管微波放大器局域网
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4页	47K
描述
MICROWAVE POWER GaAs FET

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TIM6472-4UL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	HERMETIC SEALED, 2-11D1B, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.07	Is Samacsys：	N
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	15 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.5 A
最大漏极电流 (ID)：	3.5 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	C BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	23 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

TIM6472-4UL 数据手册

TIM6472-4UL

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta= 25 C )

CHARACTERISTICS

Drain-Source Voltage

SYMBOL

UNIT

RATING

Gate-Source Voltage

Drain Current

VGS

IDS

-5

3.5

Total Power Dissipation (Tc= 25 C)

Channel Temperature

Storage

Tch

Tstg

175

-65 to +175

PACKAGE OUTLINE (2-11D1B)

0.6±0.15

Unit in mm

4-C1.2

(1)

(1) Gate

(2) Source

(3) Drain

(2)

(3)

17±0.3

21±0.2

11.0 MAX.

HANDLING PRECAUTIONS FOR PACKAGE MODEL

Soldering iron should be grounded and the operating time should not exceed 10 seconds

at 260°C.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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