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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.63 |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 15 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.5 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最高频带： | C BAND | JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 23 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TIM7179-4UL | TOSHIBA |
获取价格 |
HIGH POWER P1dB=36.5dBm at 7.1GHz to 7.9GHz |
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| TIM7179-60SL | TOSHIBA |
获取价格 |
IM3=-45 dBc at Pout= 36.5dBm Single Carrier Level |
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| TIM7179-6UL | TOSHIBA |
获取价格 |
HIGH POWER P1dB=38.5dBm at 7.1GHz to 7.9GHz |
|
| TIM7179-8 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR RF POWER, FET, HERMETIC SEALED, 2-11D1B, 3 PIN, FET RF Power |
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| TIM7179-8L | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR RF POWER, FET, HERMETIC SEALED, 2-11D1B, 3 PIN, FET RF Power |
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| TIM7179-8SL | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR RF POWER, FET, HERMETIC SEALED, 2-11D1B, 3 PIN, FET RF Power |
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| TIM7179-8UL | TOSHIBA |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| TIM7179-8UL_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
HIGH POWER P1dB=39.5dBm at 7.1GHz to 7.9GHz |
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| TIM7785-12UL | TOSHIBA |
获取价格 |
BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET |
|
| TIM7785-12UL_09 | TOSHIBA |
获取价格 |
HIGH POWER P1dB=41.5dBm at 7.7GHz to 8.5GHz |
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