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TIM7179-4UL

更新时间： 2024-01-26 09:52:48
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 高功率电源
页数 文件大小 规格书
4页 141K
描述
HIGH POWER P1dB=36.5dBm at 7.1GHz to 7.9GHz

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TIM7179-4UL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED, 2-11D1B, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.08外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：15 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.5 A最大漏极电流 (ID)：3.5 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：C BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F2元件数量：1
端子数量：2工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：23 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches：1

TIM7179-4UL 数据手册

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MICROWAVE POWER GaAs FET  
MICROWAVE SEMICONDUCTOR  
TIM7179-4UL  
TECHNICAL DATA  
FEATURES  
„ HIGH POWER  
„ BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET  
„ HERMETICALLY SEALED PACKAGE  
P1dB=36.5dBm at 7.1GHz to 7.9GHz  
„ HIGH GAIN  
G1dB= 9.0dB at 7.1GHz to 7.9GHz  
RF PERFORMANCE SPECIFICATIONS ( Ta= 25 C )  
°
CHARACTERISTICS  
Output Power at 1dB Gain  
Compression Point  
Power Gain at 1dB Gain  
Compression Point  
Drain Current  
SYMBOL  
CONDITIONS  
UNIT MIN. TYP. MAX.  
P1dB  
dBm 35.5 36.5  
⎯
G1dB  
VDS= 10V  
IDSset=0.9A  
dB  
8.0  
9.0  
⎯
f = 7.1 to 7.9GHz  
IDS1  
ΔG  
A
dB  
%
1.1  
⎯
1.3  
±0.6  
⎯
⎯
⎯
Gain Flatness  
Power Added Efficiency  
3rd Order Intermodulation  
Distortion  
ηadd  
IM3  
35  
⎯
Two-Tone Test  
Po= 25.5dBm  
dBc  
-44  
-47  
⎯
(Single Carrier Level)  
Drain Current  
IDS2  
A
1.1  
1.3  
80  
⎯
⎯
(VDS X IDS + Pin – P1dB)  
X Rth(c-c)  
C
°
Channel Temperature Rise  
ΔTch  
⎯
Recommended gate resistance(Rg) : Rg= 150 Ω(MAX.)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta= 25 C )  
°
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
CONDITIONS  
VDS= 3V  
IDS= 1.5A  
UNIT MIN. TYP. MAX.  
Transconductance  
gm  
mS  
900  
-2.5  
2.6  
⎯
⎯
-1.0  
⎯
⎯
-4.0  
⎯
Pinch-off Voltage  
VGSoff VDS= 3V  
IDS= 15mA  
V
Saturated Drain Current  
IDSS  
VDS= 3V  
VGS= 0V  
A
IGS= -50 A  
Gate-Source Breakdown  
Voltage  
VGSO  
V
-5  
μ
⎯
C/W  
°
Thermal Resistance  
Rth(c-c) Channel to Case  
4.5  
6.0  
⎯
‹ The information contained herein is presented only as a guide for the applications of our products. No responsibility is  
assumed by TOSHIBA for any infringements of patents or other rights of the third parties which may results from its use,  
No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of TOSHIBA or others.  
The information contained herein is subject to change without prior notice. It is therefor advisable to contact TOSHIBA  
before proceeding with design of equipment incorporating this product.  
Rev. Jun. 2009  
1234

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与TIM7179-4UL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIM7179-60SL TOSHIBA

获取价格

 		IM3=-45 dBc at Pout= 36.5dBm Single Carrier Level
TIM7179-6UL TOSHIBA

获取价格

 		HIGH POWER P1dB=38.5dBm at 7.1GHz to 7.9GHz
TIM7179-8 TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR RF POWER, FET, HERMETIC SEALED, 2-11D1B, 3 PIN, FET RF Power
TIM7179-8L TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR RF POWER, FET, HERMETIC SEALED, 2-11D1B, 3 PIN, FET RF Power
TIM7179-8SL TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR RF POWER, FET, HERMETIC SEALED, 2-11D1B, 3 PIN, FET RF Power
TIM7179-8UL TOSHIBA

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 		MICROWAVE POWER GaAs FET
TIM7179-8UL_06 TOSHIBA

获取价格

 		HIGH POWER P1dB=39.5dBm at 7.1GHz to 7.9GHz
TIM7785-12UL TOSHIBA

获取价格

 		BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET
TIM7785-12UL_09 TOSHIBA

获取价格

 		HIGH POWER P1dB=41.5dBm at 7.7GHz to 8.5GHz
TIM7785-16 TOSHIBA

获取价格

 		MICROWAVE POWER GAAS FET

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