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TIM7785-35SL

更新时间： 2024-02-12 02:12:17
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东芝 - TOSHIBA 微波
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5页 180K
描述
MICROWAVE POWER GaAs FET

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TIM7785-35SL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：HERMETIC SEALED, 2-16G1B, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：20 weeks
风险等级：5.37外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：15 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：26 A最大漏极电流 (ID)：20 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：X BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F2元件数量：1
端子数量：2工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：115 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE

TIM7785-35SL 数据手册

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MICROWAVE POWER GaAs FET  
MICROWAVE SEMICONDUCTOR  
TIM7785-35SL  
TECHNICAL DATA  
FEATURES  
n
n
LOW INTERMODULATION DISTORTION  
IM3=-45 dBc at Po= 35.0dBm,  
Single Carrier Level  
n
HIGH GAIN  
G1dB=6.0dB at 7.7GHz to 8.5GHz  
BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET  
HERMETICALLY SEALED PACKAGE  
n
n
HIGH POWER  
P1dB=45.5dBm at 7.7GHz to 8.5GHz  
RF PERFORMANCE SPECIFICATIONS ( Ta= 25°C )  
CHARACTERISTICS  
Output Power at 1dB Gain  
Compression Point  
Power Gain at 1dB Gain  
Compression Point  
Drain Current  
SYMBOL  
CONDITIONS  
UNIT MIN. TYP. MAX.  
P1dB  
dBm 45.0 45.5  
¾
G1dB  
dB  
5.0  
6.0  
¾
VDS=10V  
f = 7.7 to 8.5GHz  
IDS1  
DG  
A
dB  
%
¾
¾
8.0  
¾
9.0  
±0.8  
¾
Gain Flatness  
Power Added Efficiency  
3rd Order Intermodulation  
Distortion  
hadd  
IM3  
¾
33  
-45  
Two-Tone Test  
Po=35.0dBm  
dBc  
-42  
¾
(Single Carrier Level)  
Drain Current  
IDS2  
A
¾
¾
8.0  
9.0  
Channel Temperature Rise  
DTch  
VDS X IDS X Rth(c-c)  
°C  
¾
100  
Recommended Gate Resistance(Rg): 28 W (Max.)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta= 25°C )  
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
CONDITIONS  
VDS= 3V  
IDS= 10.5A  
VGSoff VDS= 3V  
IDS= 140mA  
VDS= 3V  
VGS= 0V  
UNIT MIN. TYP. MAX.  
Transconductance  
gm  
mS  
¾
-1.0  
¾
6500  
-2.5  
20  
¾
-4.0  
26  
Pinch-off Voltage  
V
Saturated Drain Current  
IDSS  
A
Gate-Source Breakdown  
Voltage  
VGSO IGS= -420mA  
V
-5  
¾
¾
Thermal Resistance  
Rth(c-c) Channel to Case  
°C/W  
¾
1.0  
1.3  
u The information contained herein is presented only as a guide for the applications of our products. No responsibility is  
assumed by TOSHIBA for any infringements of patents or other rights of the third parties which may results from its use,  
No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of TOSHIBA or others.  
The information contained herein is subject to change without prior notice. It is therefor advisable to contact TOSHIBA  
before proceeding with design of equipment incorporating this product.  
Rev. Nov. 2003  
12345

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