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Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> TIM7785-8SL
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TIM7785-8SL

更新时间： 2024-01-11 21:20:38
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体射频场效应晶体管微波放大器局域网
页数 文件大小 规格书
4页 269K
描述
MICROWAVE POWER GaAs FET

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TIM7785-8SL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：HERMETIC SEALED, 2-11D1B, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：20 weeks
风险等级：5.05Is Samacsys：N
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：15 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：7 A
最大漏极电流 (ID)：7 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：X BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：37.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

TIM7785-8SL 数据手册

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MICROWAVE POWER GaAs FET  
MICROWAVE SEMICONDUCTOR  
TIM7785-8SL  
TECHNICAL DATA  
FEATURES  
„ LOW INTERMODULATION DISTORTION  
IM3=-45 dBc at Pout= 28.5dBm  
Single Carrier Level  
„ HIGH GAIN  
G1dB=6.0dB at 7.7GHz to 8.5GHz  
„ BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET  
„ HERMETICALLY SEALED PACKAGE  
„ HIGH POWER  
P1dB=39.5dBm at 7.7GHz to 8.5GHz  
RF PERFORMANCE SPECIFICATIONS ( Ta= 25 C )  
°
CHARACTERISTICS  
Output Power at 1dB Gain  
Compression Point  
Power Gain at 1dB Gain  
Compression Point  
Drain Current  
SYMBOL  
CONDITIONS  
UNIT MIN. TYP. MAX.  
P1dB  
dBm 38.5 39.5  
⎯
G1dB  
dB  
5.0  
6.0  
2.2  
⎯
VDS= 10V  
f= 7.7 to 8.5GHz  
IDS1  
ΔG  
ηadd  
IM3  
A
dB  
%
2.6  
±0.6  
⎯
⎯
Gain Flatness  
⎯
⎯
-42  
⎯
30  
Power Added Efficiency  
3rd Order Intermodulation  
Distortion  
Two-Tone Test  
Po=28.5dBm  
dBc  
-45  
⎯
(Single Carrier Level)  
(VDS X IDS + Pin – P1dB)  
X Rth(c-c)  
Drain Current  
IDS2  
A
2.2  
2.6  
80  
⎯
⎯
C
°
Channel Temperature Rise  
ΔTch  
⎯
Recommended Gate Resistance(Rg): 150 Ω (Max.)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta= 25°C )  
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
CONDITIONS  
UNIT MIN. TYP. MAX.  
Transconductance  
gm  
V
DS  
= 3V  
mS  
V
1800  
-2.5  
5.2  
⎯
-1.0  
⎯
⎯
-4.0  
⎯
IDS= 3.0A  
VDS= 3V  
IDS= 30mA  
VDS= 3V  
Pinch-off Voltage  
VGSoff  
IDSS  
Saturated Drain Current  
A
VGS= 0V  
Gate-Source Breakdown  
Voltage  
VGSO  
Rth(c-c)  
IGS= -100μA  
V
-5  
⎯
⎯
C/W  
Thermal Resistance  
Channel to Case  
2.5  
3.8  
°
⎯
‹ The information contained herein is presented only as a guide for the applications of our products. No responsibility is  
assumed by TOSHIBA for any infringements of patents or other rights of the third parties which may results from its use,  
No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of TOSHIBA or others.  
The information contained herein is subject to change without prior notice. It is therefor advisable to contact TOSHIBA  
before proceeding with design of equipment incorporating this product.  
Rev. Jul. 2006  
1234

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