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TIM7179-35SL

更新时间： 2024-01-25 16:52:04
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 449K
描述
TRANSISTOR C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, 2-16G1B, 2 PIN, FET RF Power

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TIM7179-35SL 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.57
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：15 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A
最大漏极电流 (ID)：20 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：C BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：115.4 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

TIM7179-35SL 数据手册

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MICROWAVE POWER GaAs FET  
MICROWAVE SEMICONDUCTOR  
TIM6472-45SL  
TECHNICAL DATA  
FEATURES  
n LOW INTERMODULATION DISTORTION n HIGH GAIN  
IM3=-45 dBc at Pout= 35.5dBm  
Single Carrier Level  
n HIGH POWER  
G1dB=8.0dB at 6.4GHz to 7.2GHz  
n BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET  
n HERMETICALLY SEALED PACKAGE  
P1dB=46.5dBm at 6.4GHz to 7.2GHz  
RF PERFORMANCE SPECIFICATIONS ( Ta= 25 C )  
°
CHARACTERISTICS  
Output Power at 1dB Gain  
Compression Point  
Power Gain at 1dB Gain  
Compression Point  
Drain Current  
SYMBOL  
CONDITIONS  
UNIT MIN. TYP. MAX.  
P1dB  
dBm 46.0 46.5  
¾
G1dB  
dB  
7.0  
8.0  
¾
VDS=10V  
f = 6.4 to 7.2GHz  
IDS  
DG  
A
dB  
%
¾
¾
9.6  
¾
10.8  
±0.8  
Gain Flatness  
Power Added Efficiency  
3rd Order Intermodulation  
Distortion  
hadd  
IM3  
37  
-45  
¾
¾
¾
Two-Tone Test  
Po=35.5dBm  
dBc  
-42  
(Single Carrier Level)  
(VDS X IDS + Pin – P1dB)  
X Rth(c-c)  
C
°
Channel Temperature Rise  
DTch  
¾
¾
100  
Recommended Gate Resistance(Rg): 28 W (Max.)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta= 25 C )  
°
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
CONDITIONS  
VDS= 3V  
UNIT MIN. TYP. MAX.  
Transconductance  
gm  
mS  
8000  
-2.5  
24  
¾
-1.0  
¾
¾
-4.0  
¾
IDS= 11.0A  
VDS= 3V  
Pinch-off Voltage  
VGSoff  
IDSS  
V
IDS= 170mA  
VDS= 3V  
Saturated Drain Current  
A
VGS= 0V  
Gate-Source Breakdown  
Voltage  
VGSO  
Rth(c-c)  
IGS= -500 A  
V
-5  
m
¾
¾
C/W  
Thermal Resistance  
Channel to Case  
0.8  
1.2  
°
¾
u The information contained herein is presented only as a guide for the applications of our products. No responsibility is  
assumed by TOSHIBA for any infringements of patents or other rights of the third parties which may result from its use.  
No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of TOSHIBA or others.  
The information contained herein is subject to change without prior notice. It is therefor advisable to contact TOSHIBA  
before proceeding with design of equipment incorporating this product.  
Rev. Jul. 2006  
1234

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与TIM7179-35SL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIM7179-45SL TOSHIBA

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 		MICROWAVE POWER GaAs FET
TIM7179-4SL TOSHIBA

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 		TRANSISTOR C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, 2-11D1B, 2 PIN, FET
TIM7179-4UL TOSHIBA

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 		HIGH POWER P1dB=36.5dBm at 7.1GHz to 7.9GHz
TIM7179-60SL TOSHIBA

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 		IM3=-45 dBc at Pout= 36.5dBm Single Carrier Level
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 		HIGH POWER P1dB=39.5dBm at 7.1GHz to 7.9GHz

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