TIM6472-25UL

更新时间： 2024-02-17 02:53:07

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东芝 - TOSHIBA		晶体射频场效应晶体管放大器局域网高功率电源
页数	文件大小	规格书
4页	142K
描述
HIGH POWER P1dB=44.5dBm at 6.4GHz to 7.2GHz

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TIM6472-25UL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	HERMETIC SEALED, 2-16G1B, 3 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.09	Is Samacsys：	N
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	15 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A
最大漏极电流 (ID)：	20 A	FET 技术：	JUNCTION
最高频带：	C BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	100 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

TIM6472-25UL

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta= 25 C )

CHARACTERISTICS

Drain-Source Voltage

SYMBOL

VDS

VGS

IDS

UNIT

RATING

Gate-Source Voltage

Drain Current

-5

20.0

Total Power Dissipation (Tc= 25 C)

100

Channel Temperature

Storage

Tch

175

Tstg

-65 to +175

PACKAGE OUTLINE (2-16G1B)

Unit in mm

c Gate

d Source

e Drain

HANDLING PRECAUTIONS FOR PACKAGE MODEL

Soldering iron should be grounded and the operating time should not exceed 10 seconds

at 260°C.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
TIM6472-30L	TOSHIBA	TRANSISTOR RF POWER, FET, HERMETIC SEALED, 2-16G1B, 3 PIN, FET RF Power	获取价格
TIM6472-30SL	TOSHIBA	MICROWAVE POWER GaAs FET	获取价格
TIM6472-30UL	TOSHIBA	C-Band Power GaAs IMFETs, TIM6472-30UL	获取价格
TIM6472-35SL	TOSHIBA	MICROWAVE POWER GaAs FET	获取价格
TIM6472-35SL_06	TOSHIBA	MICROWAVE POWER GaAs FET	获取价格
TIM6472-45SL	TOSHIBA	MICROWAVE POWER GaAs FET	获取价格