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Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> TIM6472-4UL
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TIM6472-4UL

更新时间： 2024-02-03 21:50:46
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体射频场效应晶体管微波放大器局域网
页数 文件大小 规格书
4页 47K
描述
MICROWAVE POWER GaAs FET

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TIM6472-4UL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED, 2-11D1B, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.07Is Samacsys：N
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：15 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.5 A
最大漏极电流 (ID)：3.5 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：C BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：23 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

TIM6472-4UL 数据手册

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MICROWAVE POWER GaAs FET  
MICROWAVE SEMICONDUCTOR  
TIM6472-4UL  
TECHNICAL DATA  
FEATURES  
n HIGH POWER  
n BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET  
n HERMETICALLY SEALED PACKAGE  
P1dB=36.5dBm at 6.4GHz to 7.2GHz  
n HIGH GAIN  
G1dB= 9.5dB at 6.4GHz to 7.2GHz  
RF PERFORMANCE SPECIFICATIONS ( Ta= 25 C )  
°
CHARACTERISTICS  
Output Power at 1dB Gain  
Compression Point  
SYMBOL  
CONDITIONS  
UNIT MIN. TYP. MAX.  
P1dB  
dBm 35.5 36.5  
¾
Power Gain at 1dB Gain  
Compression Point  
G1dB  
dB  
8.5  
9.5  
¾
V
= 10V  
DS  
f = 6.4 to 7.2GHz  
Drain Current  
IDS1  
DG  
A
dB  
%
1.1  
¾
1.3  
¾
¾
Gain Flatness  
±0.6  
Power Added Efficiency  
3rd Order Intermodulation  
Distortion  
hadd  
IM3  
36  
-47  
¾
¾
¾
Two-Tone Test  
Po= 25.5dBm  
dBc  
-44  
Drain Current  
I
(Single Carrier Level)  
(VDS X IDS + Pin – P1dB)  
X Rth(c-c)  
A
1.1  
1.3  
80  
DS2  
¾
¾
Channel Temperature Rise  
DTch  
C
°
¾
Recommended gate resistance(Rg) : Rg= 150 W(MAX.)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta= 25 C )  
°
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
CONDITIONS  
VDS= 3V  
IDS= 1.5A  
UNIT MIN. TYP. MAX.  
Transconductance  
gm  
mS  
900  
-2.5  
2.6  
¾
¾
-1.0  
¾
¾
-4.0  
¾
Pinch-off Voltage  
VGSoff VDS= 3V  
IDS= 15mA  
V
=
Saturated Drain Current  
IDSS  
VDS 3V  
A
VGS= 0V  
Gate-Source Breakdown  
Voltage  
VGSO IGS= -50 A  
V
-5  
m
¾
C/W  
°
Thermal Resistance  
Rth(c-c) Channel to Case  
4.5  
6.0  
¾
u The information contained herein is presented only as a guide for the applications of our products. No responsibility is  
assumed by TOSHIBA for any infringements of patents or other rights of the third parties which may results from its use,  
No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of TOSHIBA or others.  
The information contained herein is subject to change without prior notice. It is therefor advisable to contact TOSHIBA  
before proceeding with design of equipment incorporating this product.  
Rev. Jun. 2006  
1234

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