5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 | 标称电路换相断开时间： | 40 µs |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 300 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 200 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 3 V | 最大漏电流： | 60 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 8000 A | 最大通态电压： | 2.8 V |
| 最大通态电流： | 750000 A | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -45 °C | 断态重复峰值电压： | 1200 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | NO |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TF70816B | DYNEX |
获取价格 |
Fast Switching Thyristor |
|
| TF708-16B | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.6KV V(DRM),750A I(T),TO-200AC |
|
| TF70818B | DYNEX |
获取价格 |
Fast Switching Thyristor |
|
| TF708-18B | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 750000mA I(T), 1800V V(DRM), |
|
| TF708-18B | DYNEX |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 750000mA I(T), 1800V V(DRM), |
|
| TF70820B | DYNEX |
获取价格 |
Fast Switching Thyristor |
|
| TF708-20B | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,2KV V(DRM),750A I(T),TO-200AC |
|
| TF708-20B | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 750000mA I(T), 2000V V(DRM), |
|
| TF709 | DYNEX |
获取价格 |
Fast Switching Thyristor |
|
| TF709-01A | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,100V V(DRM),900A I(T),TO-200AC |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
