TF70908Y

更新时间： 2024-11-24 22:19:51

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DYNEX		栅极触发装置可控硅整流器开关
页数	文件大小	规格书
13页	249K
描述
Fast Switching Thyristor

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TF70908Y 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.23
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	200 mA	JESD-30 代码：	O-CXDB-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	900 A
断态重复峰值电压：	800 V	重复峰值反向电压：	800 V
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

TF70908Y 数据手册

TF709..Y

Fast Switching Thyristor

Replaces March 1998 version, DS4277-2.2

DS4277-3.0 January 2000

APPLICATIONS

KEY PARAMETERS

V_DRM

I_T(RMS)

I_TSM

dV/dt 300V/µs

dI/dt

1400V

900A

12000A

■ High Power Inverters And Choppers

■ UPS

■ Railway Traction

■ Induction Heating

■ AC Motor Drives

■ Cycloconverters

500A/µs

t_q

25µs

FEATURES

■ Double Side Cooling

■ High Surge Capability

■ High Voltage

VOLTAGE RATINGS

Type Number

Repetitive

Peak

Conditions

Voltages

V_DRMV_RRM

TF709 14Y

1400

1200

1000

800

V_RSM= V_RRM+ 100V

I_DRM= I_RRM= 40mA

at V_RRMor V_DRM& T_vj

TF709 12Y

TF709 10Y

TF709 08Y

TF709 06Y

600

Lower voltage grades available.

Outline type code: MU171.

See Package Details for further information.

CURRENT RATINGS

Symbol

I_T(AV)

Parameter

Conditions

Max.

Units

Half sinewave, 50Hz, T_case= 80^oC

573

Mean on-state current

RMS value

I_T(RMS)

Half sinewave, 50Hz, T_case= 80^oC

900

1/13

12 3 4 5 6 7...13

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与TF70908Y相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TF709-08Y	DYNEX	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 900000mA I(T), 800V V(DRM),
TF709-08Z	STMICROELECTRONICS	获取价格	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,800V V(DRM),900A I(T),TO-200AC
TF709-10B	STMICROELECTRONICS	获取价格	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1KV V(DRM),900A I(T),TO-200AC
TF70910Y	DYNEX	获取价格	Fast Switching Thyristor
TF709-10Y	ZARLINK	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 900000mA I(T), 1000V V(DRM),
TF709-10Y	STMICROELECTRONICS	获取价格	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1KV V(DRM),900A I(T),TO-200AC
TF709-12A	STMICROELECTRONICS	获取价格	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),900A I(T),TO-200AC
TF70912Y	DYNEX	获取价格	Fast Switching Thyristor
TF709-12Y	DYNEX	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 900000mA I(T), 1200V V(DRM),
TF709-12Y	STMICROELECTRONICS	获取价格	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),900A I(T),TO-200AC