TF70820B

更新时间： 2024-11-24 22:19:51

品牌	Logo	应用领域
DYNEX		栅极触发装置可控硅整流器开关
页数	文件大小	规格书
13页	253K
描述
Fast Switching Thyristor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TF70820B 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	200 mA	JESD-30 代码：	O-CXDB-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	750 A	断态重复峰值电压：	2000 V
重复峰值反向电压：	2000 V	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UNSPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

TF70820B 数据手册

TF708..B

Fast Switching Thyristor

Replaces March 1998 version, DS4276-2.2

DS4276-3.0 January 2000

APPLICATIONS

KEY PARAMETERS

V_DRM

I_T(RMS)

I_TSM

dV/dt 300V/µs

dI/dt

2000V

750A

8000A

■ High Power Inverters And Choppers

■ UPS

■ Railway Traction

■ Induction Heating

■ AC Motor Drives

■ Cycloconverters

500A/µs

t_q

40µs

FEATURES

■ Double Side Cooling

■ High Surge Capability

■ High Voltage

VOLTAGE RATINGS

Type Number

Repetitive

Peak

Conditions

Voltages

V_DRMV_RRM

TF708 20B

TF708 18B

TF708 16B

2000

1800

1600

V_RSM= V_RRM+ 100V

I_DRM= I_RRM= 60mA

at V_RRMor V_DRM& T_vj

Lower voltage grades available.

Outline type code: MU171.

See Package Details for further information.

CURRENT RATINGS

Symbol

I_T(AV)

Parameter

Conditions

Max.

Units

Half sinewave, 50Hz, T_case= 80^oC

480

Mean on-state current

RMS value

I_T(RMS)

Half sinewave, 50Hz, T_case= 80^oC

750

1/13

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

与TF70820B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TF708-20B	STMICROELECTRONICS	获取价格	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,2KV V(DRM),750A I(T),TO-200AC
TF708-20B	MICROSEMI	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 750000mA I(T), 2000V V(DRM),
TF709	DYNEX	获取价格	Fast Switching Thyristor
TF709-01A	STMICROELECTRONICS	获取价格	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,100V V(DRM),900A I(T),TO-200AC
TF709-02A	STMICROELECTRONICS	获取价格	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),900A I(T),TO-200AC
TF709-02B	STMICROELECTRONICS	获取价格	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),900A I(T),TO-200AC
TF709-02Y	STMICROELECTRONICS	获取价格	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),900A I(T),TO-200AC
TF709-02Z	STMICROELECTRONICS	获取价格	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),900A I(T),TO-200AC
TF709-04A	STMICROELECTRONICS	获取价格	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),900A I(T),TO-200AC
TF709-04B	STMICROELECTRONICS	获取价格	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),900A I(T),TO-200AC