| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.75 |
| 标称电路换相断开时间： | 25 µs | 关态电压最小值的临界上升速率： | 300 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 200 mA | 最大直流栅极触发电压： | 3 V |
| 最大漏电流： | 40 mA | 通态非重复峰值电流： | 12000 A |
| 最大通态电压： | 2 V | 最大通态电流： | 900000 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -45 °C |
| 断态重复峰值电压： | 600 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TF709-06Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,600V V(DRM),900A I(T),TO-200AC |
|
| TF709-08A | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,800V V(DRM),900A I(T),TO-200AC |
|
| TF709-08B | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,800V V(DRM),900A I(T),TO-200AC |
|
| TF709-08Y | DYNEX |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 900000mA I(T), 800V V(DRM), |
|
| TF709-08Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,800V V(DRM),900A I(T),TO-200AC |
|
| TF709-10B | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1KV V(DRM),900A I(T),TO-200AC |
|
| TF709-10Y | ZARLINK |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 900000mA I(T), 1000V V(DRM), |
|
| TF709-10Y | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1KV V(DRM),900A I(T),TO-200AC |
|
| TF709-12A | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),900A I(T),TO-200AC |
|
| TF709-12Y | DYNEX |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 900000mA I(T), 1200V V(DRM), |
|
英特尔CEO陈立武坦言：晶圆代工业务成败系于14A制程生死线
三星豪掷70亿美元在美建先进封装厂 剑指台积电全球霸主地位
美对日半导体关税上调至15% 日本科技产业面临严峻挑战
中国AI需求爆发式增长 英伟达紧急加码30万片H20芯片订单
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
