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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 1页 | 74K |  |
| 描述 | ||
| SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),900A I(T),TO-200AC | ||
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.75 | Is Samacsys： | N |
| 标称电路换相断开时间： | 25 µs | 关态电压最小值的临界上升速率： | 300 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 200 mA | 最大直流栅极触发电压： | 3 V |
| 最大漏电流： | 40 mA | 通态非重复峰值电流： | 12000 A |
| 最大通态电压： | 2 V | 最大通态电流： | 900000 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -45 °C |
| 断态重复峰值电压： | 1200 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TF709-12Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),900A I(T),TO-200AC |
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| TF709-14A | STMICROELECTRONICS |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.4KV V(DRM),900A I(T),TO-200AC |
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| TF709-14B | STMICROELECTRONICS |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.4KV V(DRM),900A I(T),TO-200AC |
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| TF70914Y | DYNEX |
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Fast Switching Thyristor |
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| TF709-14Y | DYNEX |
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Silicon Controlled Rectifier, 900000mA I(T), 1400V V(DRM), |
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| TF709-14Y | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.4KV V(DRM),900A I(T),TO-200AC |
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| TF709-14Z | STMICROELECTRONICS |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.4KV V(DRM),900A I(T),TO-200AC |
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| TF75-10 | RHOMBUS-IND |
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TF Series Fast tr High Performance 20 Section 10-Tap 28-Pin Delay Lines |
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| TF75-5 | RHOMBUS-IND |
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TF Series High Performance 20 Section 10-Tap Delay Lines / SP3 Series |
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| TF75-7 | RHOMBUS-IND |
获取价格 |
TF Series High Performance 20 Section 10-Tap Delay Lines / SP3 Series |
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