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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 | 标称电路换相断开时间： | 40 µs |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 300 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 200 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 3 V | 最大漏电流： | 40 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 12000 A | 最大通态电压： | 2 V |
| 最大通态电流： | 900000 A | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -45 °C | 断态重复峰值电压： | 1000 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | NO |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TF70910Y | DYNEX |
获取价格 |
Fast Switching Thyristor |
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| TF709-10Y | ZARLINK |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 900000mA I(T), 1000V V(DRM), |
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| TF709-10Y | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1KV V(DRM),900A I(T),TO-200AC |
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| TF709-12A | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),900A I(T),TO-200AC |
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| TF70912Y | DYNEX |
获取价格 |
Fast Switching Thyristor |
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| TF709-12Y | DYNEX |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 900000mA I(T), 1200V V(DRM), |
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| TF709-12Y | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),900A I(T),TO-200AC |
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| TF709-12Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),900A I(T),TO-200AC |
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| TF709-14A | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.4KV V(DRM),900A I(T),TO-200AC |
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| TF709-14B | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.4KV V(DRM),900A I(T),TO-200AC |
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