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TF708-18B

更新时间: 2024-10-30 15:54:15
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 栅极
页数 文件大小 规格书
12页 604K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 750000mA I(T), 1800V V(DRM),

TF708-18B 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.23
标称电路换相断开时间:40 µs关态电压最小值的临界上升速率:300 V/us
最大直流栅极触发电流:200 mA最大直流栅极触发电压:3 V
最大漏电流:60 mA通态非重复峰值电流:8000 A
最大通态电压:2.8 V最大通态电流:750000 A
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-45 °C
断态重复峰值电压:1800 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

TF708-18B 数据手册

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