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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP2 |
| 包装说明： | TSOP2, | 针数： | 54 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.83 |
| 最长访问时间： | 15 ns | JESD-30 代码： | R-PDSO-G54 |
| 长度： | 22.22 mm | 内存密度： | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型： | CACHE SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 54 |
| 字数： | 2097152 words | 字数代码： | 2000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 2MX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP2 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TC55V8512FT-12 | TOSHIBA |
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TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
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| TC55V8512FT-15 | TOSHIBA |
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TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
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| TC55V8512FTI-12 | TOSHIBA |
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TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
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| TC55V8512FTI-15 | TOSHIBA |
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TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
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| TC55V8512J-12 | TOSHIBA |
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TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
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| TC55V8512J-15 | TOSHIBA |
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TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
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| TC55V8512JI/FTI-12,-15 | TOSHIBA |
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TC55V8512JI/FTI-12,-15 |
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| TC55V8512JI-12 | TOSHIBA |
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TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
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| TC55V8512JI-15 | TOSHIBA |
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TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
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| TC55VBM316AFTN | TOSHIBA |
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TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
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