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TC55V8200FT-15

更新时间: 2024-09-18 22:07:23
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 348K
描述
MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

TC55V8200FT-15 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSOP54,.46,32
针数:54Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.82Is Samacsys:N
最长访问时间:15 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G54JESD-609代码:e0
长度:22.22 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:54
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSOP54,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大待机电流:0.004 A最小待机电流:3 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.37 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

TC55V8200FT-15 数据手册

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