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TC55V328BJ-12

更新时间: 2024-09-18 22:24:23
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 354K
描述
32,768 WORD-8 BIT STATIC RAM

TC55V328BJ-12 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOJ包装说明:SOJ, SOJ28,.34
针数:28Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.83Is Samacsys:N
最长访问时间:12 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J28JESD-609代码:e0
长度:18.42 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ28,.34
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.7 mm
最大待机电流:0.0003 A最小待机电流:3.1 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.12 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3.1 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:7.7 mmBase Number Matches:1

TC55V328BJ-12 数据手册

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