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TC55V328J-20

更新时间: 2024-11-08 18:10:23
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 153K
描述
IC 32K X 8 CACHE SRAM, 20 ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28, Static RAM

TC55V328J-20 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOJ包装说明:SOJ,
针数:28Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.83最长访问时间:20 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-J28JESD-609代码:e0
长度:18.42 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.7 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:7.7 mm
Base Number Matches:1

TC55V328J-20 数据手册

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