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TC55V4000ST-70 PDF预览

TC55V4000ST-70

更新时间： 2024-09-18 22:08:19
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 162K
描述
524,288-WORD BY 8-BIT STATIC RAM

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TC55V4000ST-70 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP1包装说明：0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-32
针数：32Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.88最长访问时间：70 ns
JESD-30 代码：R-PDSO-G32JESD-609代码：e0
长度：11.8 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：8 mm
Base Number Matches：1

TC55V4000ST-70 数据手册

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TC55V4000ST-70,-85  
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS  
524,288-WORD BY 8-BIT STATIC RAM  
DESCRIPTION  
The TC55V4000ST is a 4,194,304-bit static random access memory (SRAM) organized as 524,288 words by 8 bits.  
Fabricated using Toshiba's CMOS Silicon gate process technology, this device operates from a single 2.3 to 3.6 V  
power supply. Advanced circuit technology provides both high speed and low power at an operating current of 3  
mA/MHz and a minimum cycle time of 70 ns. It is automatically placed in low-power mode at 0.5 µA standby  
current (at VDD = 3 V, Ta = 25°C) when chip enable (CE ) is asserted high. There are two control inputs. CE is  
used to select the device and for data retention control, and output enable ( OE ) provides fast memory access. This  
device is well suited to various microprocessor system applications where high speed, low power and battery  
backup are required. The TC55V4000ST is available in a normal pinout plastic 32-pin thin-small-outline package  
(TSOP).  
FEATURES  
•
Access Times (maximum):  
•
Low-power dissipation  
Operating: 10.8 mW/MHz (typical)  
Single power supply voltage of 2.3 to 3.6 V  
Power down features usingCE  
TC55V4000ST  
•
•
•
•
•
-70  
-85  
Data retention supply voltage of 1.5 to 3.6 V  
Direct TTL compatibility for all inputs and outputs  
Standby Current (maximum):  
Access Time  
70 ns  
70 ns  
35 ns  
85 ns  
85 ns  
45 ns  
CE Access Time  
OE Access Time  
3.6 V  
7 µA  
3.0 V  
5 µA  
•
Package:  
TSOPⅠ32-P-0.50 (ST)  
(Weight: 0.24 g typ)  
PIN ASSIGNMENT (TOP VIEW)  
32 PIN TSOP  
PIN NAMES  
A0~A18  
R/W  
Address Inputs  
Read/Write Control  
Output Enable  
Chip Enable  
16  
1
OE  
CE  
I/O1~I/O8  
Data Inputs/Outputs  
Power  
V
DD  
GND  
Ground  
17  
32  
(Normal pinout)  
Pin No.  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
A18 A16 A14 A12  
25 26 27 28  
11  
12  
13  
A7  
29  
14  
A6  
30  
15  
A5  
16  
A4  
42  
OE  
Pin Name  
Pin No.  
A11  
17  
A9  
18  
A2  
A8  
19  
A1  
A13 R/W A17 A15  
V
DD  
20  
21  
22  
23  
24  
31  
Pin Name  
A3  
A0  
I/O1 I/O2 I/O3 GND I/O4 I/O5 I/O6 I/O7 I/O8 CE  
A10  
2001-11-30 1/10  
1234567...10

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