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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOJ |
| 包装说明： | SOJ, SOJ28,.34 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.8 |
| 最长访问时间： | 15 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-J28 | 长度： | 18.42 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | CACHE SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 32KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOJ |
| 封装等效代码： | SOJ28,.34 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3.7 mm | 最大待机电流： | 0.0003 A |
| 最小待机电流： | 3 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.1 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 7.7 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TC55V328J-20 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 32K X 8 CACHE SRAM, 20 ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28, Static RAM |
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| TC55V328J-25 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 32K X 8 CACHE SRAM, 25 ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28, Static RAM |
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| TC55V328J-35 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 32K X 8 CACHE SRAM, 35 ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28, Static RAM |
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| TC55V4000ST-70 | TOSHIBA |
获取价格 |
524,288-WORD BY 8-BIT STATIC RAM |
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| TC55V4000ST-85 | TOSHIBA |
获取价格 |
524,288-WORD BY 8-BIT STATIC RAM |
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| TC55V400AFT-55 | TOSHIBA |
获取价格 |
262,144-WORD BY 16-BIT FULL CMOS STATIC RAM |
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| TC55V400AFT-70 | TOSHIBA |
获取价格 |
262,144-WORD BY 16-BIT FULL CMOS STATIC RAM |
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| TC55V400ATR-55 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 256K X 16 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO48, 12 X 14 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, REVERSE, TS |
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| TC55V400ATR-70 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 256K X 16 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO48, 12 X 14 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, REVERSE, TS |
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| TC55V400FT-10 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 256K X 16 STANDARD SRAM, 100 ns, PDSO48, 12 X 14 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48, |
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