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TC51WHM616AXBN70

更新时间： 2024-02-24 14:52:23

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		存储内存集成电路静态存储器栅
页数	文件大小	规格书
11页	200K
描述
TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

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TC51WHM616AXBN70 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA, BGA48,6X8,30	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.91
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	70 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
长度：	11 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	PSEUDO STATIC RAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	4MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA48,6X8,30
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	2.7/3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.6 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.75 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

TC51WHM616AXBN70 数据手册

TC51WHM616AXBN65,70

TIMING DIAGRAMS

READ CYCLE

Address

A0 to A21

ACC

CE1

Fix-H

CE2

ODO

UB , LB

OEE

OUT

Hi-Z

VALID DATA OUT

Hi-Z

COE

I/O1 to I/O16

INDETERMINATE

PAGE READ CYCLE (8 words access)

Address

A0 to A2

Address

A3 to A21

CE1

Fix-H

CE2

UB , LB

AOH

OEE

OUT

Hi-Z

OUT

I/O1 to I/O16

COE

ODO

ACC

* Maximum 8 words

2002-08-22 5/11

1 2 3 456 7 8...11

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