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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | TFBGA, BGA48,6X8,30 | 针数： | 48 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 75 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 |
| 长度： | 11 mm | 内存密度： | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型： | PSEUDO STATIC RAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 48 |
| 字数： | 4194304 words | 字数代码： | 4000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -25 °C | 组织： | 4MX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TFBGA | 封装等效代码： | BGA48,6X8,30 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 1.8/2,3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最大待机电流： | 0.000005 A |
| 子类别： | Other Memory ICs | 最大压摆率： | 0.05 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.6 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.75 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.75 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 8 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| TC51WKM616AXGN65 | TOSHIBA | TC51WKM616AXGN65 |
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| TC51WKM616AXGN70 | TOSHIBA | TC51WKM616AXGN70 |
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| TC51WKM616AXGN75 | TOSHIBA | IC 4M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 75 ns, PBGA48, 8 X 11 MM, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, |
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| TC51WKM616BXGN75 | TOSHIBA | IC 4M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 75 ns, PBGA48, 8 X 11 MM, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, |
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| TC51WKM716AXBN75 | TOSHIBA | IC 8M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 75 ns, PBGA69, 9 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-69, S |
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| TC52 | CDE | Axial Leaded Aluminum Electrolytic Capacitors |
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