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Datasheet > 存储 > SRAM> TC51WHM616AXBN70
TC51WHM616AXBN70 PDF预览

TC51WHM616AXBN70

更新时间： 2024-01-18 10:27:22
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 存储内存集成电路静态存储器栅
页数 文件大小 规格书
11页 200K
描述
TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

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TC51WHM616AXBN70 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TFBGA, BGA48,6X8,30针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.91
Is Samacsys：N最长访问时间：70 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PBGA-B48
长度：11 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：PSEUDO STATIC RAM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：48
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-25 °C组织：4MX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装等效代码：BGA48,6X8,30
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：2.7/3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大待机电流：0.0001 A
子类别：Other Memory ICs最大压摆率：0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.3 V最小供电电压 (Vsup)：2.6 V
标称供电电压 (Vsup)：2.75 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：OTHER
端子形式：BALL端子节距：0.75 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：8 mmBase Number Matches：1

TC51WHM616AXBN70 数据手册

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TC51WHM616AXBN65,70  
AC CHARACTERISTICS AND OPERATING CONDITIONS  
(Ta = −25°C to 85°C, V = 2.6 to 3.3 V) (See Note 5 to 11)  
DD  
TC51WHM616AXBN  
SYMBOL  
PARAMETER  
UNIT  
65  
70  
MIN  
65  
10  
0
MAX  
10000  
65  
MIN  
70  
10  
0
MAX  
10000  
70  
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
Read Cycle Time  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
µs  
ms  
ns  
µs  
RC  
Address Access Time  
ACC  
CO  
Chip Enable ( CE1 ) Access Time  
Output Enable Access Time  
Data Byte Control Access Time  
Chip Enable Low to Output Active  
Output Enable Low to Output Active  
Data Byte Control Low to Output Active  
Chip Enable High to Output High-Z  
Output Enable High to Output High-Z  
Data Byte Control High to Output High-Z  
Output Data Hold Time  
65  
70  
25  
25  
OE  
25  
25  
BA  
COE  
OEE  
BE  
0
0
10  
65  
30  
10  
65  
50  
65  
60  
60  
0
20  
10  
70  
30  
10  
70  
50  
70  
60  
60  
0
20  
OD  
20  
20  
ODO  
BD  
20  
20  
OH  
Page Mode Time  
10000  
10000  
PM  
Page Mode Cycle Time  
PC  
Page Mode Address Access Time  
Page Mode Output Data Hold Time  
Write Cycle Time  
30  
30  
AA  
AOH  
WC  
WP  
CW  
BW  
AW  
AS  
10000  
10000  
Write Pulse Width  
Chip Enable to End of Write  
Data Byte Control to End of Write  
Address Valid to End of Write  
Address Set-up Time  
Write Recovery Time  
0
0
WR  
ODW  
OEW  
DS  
WE Low to Output High-Z  
WE High to Output Active  
Data Set-up Time  
0
20  
0
20  
30  
0
30  
0
Data Hold Time  
DH  
CE2 Set-up Time  
0
0
CS  
CE2 Hold Time  
300  
10  
0
300  
10  
0
CH  
CE2 Pulse Width  
DPD  
CHC  
CHP  
CE2 Hold from CE1  
CE2 Hold from Power On  
30  
30  
AC TEST CONDITIONS  
PARAMETER  
CONDITION  
Output load  
30 pF + 1 TTL Gate  
− 0.2 V, 0.2 V  
Input pulse level  
Timing measurements  
Reference level  
V
DD  
V
× 0.5  
× 0.5  
DD  
V
DD  
t , t  
R
5 ns  
F
2002-08-22 4/11  
1234567...11

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与TC51WHM616AXBN70相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TC51WHM616AXGN65 TOSHIBA

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 		TC51WHM616AXGN65
TC51WHM616AXGN70 TOSHIBA

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 		IC 4M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 70 ns, PBGA48, 8 X 11 MM, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC,
TC51WHM616BXGN70 TOSHIBA

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 		IC 4M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 70 ns, PBGA48, 8 X 11 MM, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC,
TC51WHM716AXBN70 TOSHIBA

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 		IC 8M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 70 ns, PBGA69, 9 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-69, S
TC51WKM516AXBN75 TOSHIBA

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 		2,097,152-WORD BY 16-BIT CMOS PSEUDO STATIC RAM
TC51WKM516AXGN65 TOSHIBA

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 		IC 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 65 ns, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, PLASTIC, TFBGA-48, S
TC51WKM516AXGN70 TOSHIBA

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 		IC 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 70 ns, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, PLASTIC, TFBGA-48, S
TC51WKM516AXGN75 TOSHIBA

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 		IC 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 75 ns, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC,
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 		IC 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 75 ns, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC,
TC51WKM616AXBN75 TOSHIBA

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 		TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 4,194,304-WORD BY 16-BIT CMOS PSE

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