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TC51WKM716AXBN75

更新时间： 2024-02-20 11:15:41

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	240K
描述
IC 8M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 75 ns, PBGA69, 9 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-69, Static RAM

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TC51WKM716AXBN75 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LFBGA, BGA69,10X12,32
针数：	69	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	75 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B69
JESD-609代码：	e0	长度：	12 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	PSEUDO STATIC RAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	69	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	8MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装等效代码：	BGA69,10X12,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
电源：	1.8,3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.4 mm	最大待机电流：	0.000003 A
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	0.055 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.6 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.75 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	9 mm	Base Number Matches：	1

TC51WKM716AXBN75 数据手册

TC51WKM716AXBN75

TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

8,388,608-WORD BY 16-BIT CMOS PSEUDO STATIC RAM

DESCRIPTION

The TC51WKM716AXBN is a 134,217,728-bit pseudo static random access memory(PSRAM) organized as

8,388,608 words by 16 bits. Using Toshiba’s CMOS technology and advanced circuit techniques, it provides high

density, high speed and low power. The device uses dual power supplies(2.6 to 3.3 V for core and 1.65 to 1.95 V for

output buffer). The device also features SRAM-like W/R timing whereby the device is controlled by CE1 , OE , and

WE on asynchronous. The device has the page access operation. Page size is 8 words. The device also supports

deep power-down mode, realizing low-power standby.

•

Access Times:

FEATURES

•

Organized as 8,388,608 words by 16 bits

Dual power supplies(2.6 to 3.3 V for core and

1.65 to 1.95 V for output buffer)

Direct TTL compatibility for all inputs and outputs

Deep power-down mode: Memory cell data invalid

Page operation mode:

Page read/write operation by 8 words

Logic compatible with SRAM R/W ( WE ) pin

Standby current

TC51WKM716AXBN

Access Time

75 ns

25 ns

30 ns

•

CE1 Access Time

OE Access Time

Page Access Time

Package:

•

P-FBGA69-0912-0.80B3 (Weight:0.25 g typ.)

Standby

Deep power-down standby

200 µA

3 µA

PIN ASSIGNMENT (TOP VIEW)

PIN NAMES

A0 to A22

A0 to A2

Address Inputs

Page Address Inputs

I/O1 to I/O16 Data Inputs/Outputs

CE1

CE2

Chip Enable Input

Chip select Input

/LB

/UB

A18

A17

/WE

CE2

A20

A19

A11

A12

A13

A14

Write Enable Input

Output Enable Input

Data Byte Control Inputs

Power Supply for Core

Power Supply for Output Buffer

Ground

A15

A21

A22

A16

LB , UB

A10

I/O7

GND I/O2

/OE I/O10 I/O4

DDQ

I/O5 I/O14 I/O16 NC

GND

/CE1 I/O1 I/O11

DDQ

I/O13 I/O8 GND

I/O6 I/O15

No Connection

I/O9 I/O3 I/O12 NC

(FBGA48)

2004-07-06 1/13

12 3 4 5 6 7...13

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