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TC51WKM716AXBN75

更新时间： 2024-02-23 13:16:12

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	240K
描述
IC 8M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 75 ns, PBGA69, 9 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-69, Static RAM

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TC51WKM716AXBN75 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LFBGA, BGA69,10X12,32
针数：	69	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	75 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B69
JESD-609代码：	e0	长度：	12 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	PSEUDO STATIC RAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	69	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	8MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装等效代码：	BGA69,10X12,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
电源：	1.8,3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.4 mm	最大待机电流：	0.000003 A
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	0.055 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.6 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.75 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	9 mm	Base Number Matches：	1

TC51WKM716AXBN75 数据手册

TC51WKM716AXBN75

(See Note 8)

WRITE CYCLE 1 (

CONTROLLED)

Address

A0 to A22

WEHA

CE1

CH or CHR

CE2

UB , LB

OEW

ODW

OUT

(See Note 10)

Hi-Z

(See Note 11)

(See Note 9)

I/O1 to I/O16

(See Note 9)

VALID DATA IN

I/O1 to I/O16

(See Note 8)

WRITE CYCLE 2 (

CONTROLLED)

Address

A0 to A22

CEHA

CE1

CH or CHR

CE2

UB , LB

ODW

OUT

Hi-Z

I/O1 to I/O16

COE

(See Note 9)

VALID DATA IN

I/O1 to I/O16

2004-07-06 7/13

1...4 5 678 9 10...13

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